ISO 14706-2000 表面化学分析用总反射X-射线荧光(TXRF)测定法测定硅晶片的表面基本的污染

作者:标准资料网 时间:2024-05-17 11:37:20  浏览:8752   来源:标准资料网

【英文标准名称】:Surfacechemicalanalysis-Determinationofsurfaceelementalcontaminationonsiliconwafersbytotal-reflectionX-rayfluorescence(TXRF)spectroscopy
【原文标准名称】:表面化学分析用总反射X-射线荧光(TXRF)测定法测定硅晶片的表面基本的污染
【标准号】:ISO14706-2000
【标准状态】:现行
【国别】:国际
【发布日期】:2000-12
【实施或试行日期】:
【发布单位】:国际标准化组织(IX-ISO)
【起草单位】:ISO/TC201
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:半导体器件;精整;硅;薄片;化学分析和试验;X射线荧光光谱法
【英文主题词】:Chemicalanalysisandtesting;Finishes;Semiconductordevices;Silicon;Wafers;X-rayfluorescencespectrometry
【摘要】:ThisInternationalStandardspecifiesaTXRFmethodforthemeasurementoftheatomicsurfacedensityofelementalcontaminationonchemomechanicallypolishedorepitaxialsiliconwafersurfaces.Themethodisapplicableto:—elementsofatomicnumberfrom16(S)to92(U);—contaminationelementswithatomicsurfacedensitiesfrom1×10atoms/cmto1×10atoms/cm;—contaminationelementswithatomicsurfacedensitiesfrom5×10atoms/cmto5×10atoms/cmusingaVPD(vapour-phasedecomposition)specimenpreparationmethod(see3.4).
【中国标准分类号】:G04
【国际标准分类号】:71_040_40
【页数】:23P.;A4
【正文语种】:英语